توضیحات محصولات
دستگاه دایس لیزری ویفر دستگاه SiC پاور به طور خاص برای سینینگ و برش دقیق ویفرهای کاربید سیلیکون (SiC)، دستگاه های نیمه هادی نیرو و بسترهای سرامیکی پیشرفته طراحی شده است.
این دستگاه مجهز به-لیزر فیبر پرقدرت، پلت فرم حرکتی فوق{{1}دقیق، و سیستم تراز بینایی CCD، پردازش-سرعت و دقت بالا-در عین به حداقل رساندن تراشه، ترک-و آسیب های حرارتی را ارائه می دهد.
این سیستم به ویژه برای تولید{0}نسل سوم نیمه هادی ها، مانند ماژول های قدرت و بسترهای بسته بندی نیمه هادی، مناسب است.
ویژگی های تجهیزات
فناوری لیزر فیبر{0}بالا
- منبع لیزر فیبر صنعتی پیشرفته-
- کیفیت پرتو عالی و پایداری انرژی
- تعمیر و نگهداری{0}}عملکرد رایگان
- راندمان تبدیل الکترو{0}}نوری بالا
- هزینه عملیاتی کم
پلتفرم حرکتی فوق العاده-
- پایه دستگاه گرانیت طبیعی برای سفتی برتر
- ساختار دروازه ای یکپارچه مقاومت در برابر لرزش را تضمین می کند
- عملکرد{0}}با سرعت-بالا و پایداری بالا
سیستم محرک موتور خطی
- سیستم موتور خطی وارداتی
- رمزگذار خطی با وضوح 0.5 میکرومتر-
- کنترل CNC حلقه بسته کامل-
- پاسخ سریع و دقت موقعیت یابی برتر
تراز بینایی CCD
- تراز اتوماتیک ویفر
- شناخت اعتباری
- موقعیت یابی{0}}با دقت بالا برای کاربردهای نیمه هادی
آسیب کمتر- دایس لیزری
- پهنای باریک
- حداقل تراشه
- کاهش منطقه نفوذ حرارتی
بهبود عملکرد قالب
برنامه های کاربردی
نسل سوم-صنعت نیمه هادی
ویفرهای دستگاه قدرت SiC
ویفرهای سی سی ماسفت
دیودهای SiC شاتکی
ماژول های قدرت SiC
بسترهای بسته بندی SiC
صنعت بسته بندی نیمه هادی
بسترهای سرامیکی
بسترهای DBC
بسترهای AMB
بسترهای AlN
حامل های نیمه هادی
صنعت انرژی های نو
ماژول های برق خودرو
سیستم های شارژ
سیستم های ذخیره انرژی
اینورترهای فتوولتائیک
الکترونیک صنعتی
مولفههای نیمهرسانا{0} پرقدرت
تجهیزات ساخت هوشمند
درایوهای صنعتی
الکترونیک ترانزیت ریلی
مشخصات فنی
| مورد | پارامتر |
نوع لیزر
| لیزر فیبر
|
طول موج لیزر
| 1060-1080 نانومتر
|
قدرت لیزر
| 1000 وات (سفارشی)
|
منطقه پردازش
| 600 × 600 میلی متر
|
ضخامت برش
| بستگی به مواد دارد
|
دقت تکرارپذیری
| ±5 μm
|
سرعت پردازش
| 0-3000 میلی متر در دقیقه
|
حداکثر سرعت سفر
| 60 متر در دقیقه
|
حداکثر شتاب
| 1.2 G
|
دقت میز کار
| کمتر یا مساوی 0.015 میلی متر
|
سیستم درایو
| رمزگذار موتور خطی + 0.5 میکرومتر وارد شده است
|
قدرت ماشین
| کمتر یا مساوی 7 کیلو وات
|
وزن دستگاه
| حدود 1800 کیلوگرم
|
ابعاد دستگاه
| 1800 × 1470 × 1890 میلی متر
|
مزایای سی سی سی سی ویفر
دقت بالا
از خرد کردن دقیق ویفرهای SiC و بسترهای نیمه هادی با سازگاری ابعادی عالی پشتیبانی می کند.
تراشه کم
پردازش لیزری بهینه عیوب لبه را به حداقل می رساند و کیفیت قالب را بهبود می بخشد.
بازده بالا
ترکهای میکرو-و تنش حرارتی را کاهش میدهد و به بهبود عملکرد نهایی دستگاه کمک میکند.
پردازش انعطاف پذیر
مناسب برای برش خط مستقیم، سینگولاسیون ویفر، شیارکاری، سوراخکاری و پردازش نیمه هادی سفارشی.
اتوماسیون آماده است
سازگار با خطوط تولید نیمه هادی و راه حل های اتوماسیون سفارشی.
نمونه های پردازش معمولی
- ویفرهای دستگاه قدرت SiC
- ویفرهای سی سی ماسفت
- زیرلایه های سرامیکی DBC
- زیرلایه های سرامیکی AMB
- زیرلایه های سرامیکی AlN
- حامل های بسته بندی نیمه هادی
- اجزای سرامیکی پیشرفته
نمونه برنامه های کاربردی




مکنده سرامیکی تجهیزات نیمه هادی
ویدیوی برش لیزری ما را تماشا کنید.
خدمات پس از فروش و پشتیبانی{{0}
نمونه برداری رایگان ویفر SiC
پردازش رایگان ویفرهای SiC 4، 6، و 8 اینچی. شامل-بازرسی مقطع، آزمایشهای الکتریکی، و راهحلهای فرآیند تولید انبوه-.
بسته فرآیند نیمه هادی از پیش بارگذاری شده
همراه با پارامترهای بالغ "مخفی کاری" برای همه ویفرهای SiC. هیچ-تنظیم داخلی نیازی به تولید پایدار-از روز اول نیست.
گارانتی حق بیمه و پشتیبانی مادام العمر
یک -سال گارانتی کامل-دستگاه، بهعلاوه بهروزرسانیهای مادام العمر رایگان، بهینهسازی فرآیند، و مشاوره فنی.
در{0}}نصب و آموزش سایت
مهندسین نصب و راه اندازی را انجام می دهند. آموزش اپراتور شروع سریع و روان تولید را تضمین می کند.
پشتیبانی فنی 24/7 سریع
عیبیابی از راه دور و خدمات اضطراری در سایت-به صورت شبانه روزی-برای جلوگیری از توقف تولید.
ادغام اتوماسیون سفارشی
سیستم های بارگیری/تخلیه کاملاً خودکار اختیاری برای تولید انبوه بدون سرنشین.
برای گزارشهای مقطعی، ویدیوهای تولید انبوه
آدرس ما
طبقه 1، ساختمان B، پارک فونیکس، شماره 8، پارک علم و فناوری دره اپتیک، شماره 18، جاده ششم Gaoxin، منطقه جیانگشیا، شهر ووهان
شماره تلفن
+8618602711568

سوالات متداول
س: دستگاه شما چه موادی را می تواند پردازش کند؟
A: سازگار با سرامیک های پیشرفته، نوار سبز LTCC، شیشه، یاقوت کبود، کوارتز، PCB/FPC، ویفر، فلز فوق-نازک، فویل باتری لیتیوم و سایر مواد دقیق سخت و شکننده. منابع لیزری اختیاری برای{2}}پردازش چند منظوره.
س: حداقل سوراخ مته و دقت موقعیت یابی چقدر است؟
پاسخ: حداقل قطر سوراخ 0.05 میلی متر، دقت موقعیت یابی تکرار +2ام، تولید انبوه مناسب 3C، قطعات نیمه هادی و نوری.
س: چه منابع لیزری بر روی دستگاه های شما نصب شده است؟ آیا آنها{0}}لیزرهای مارک شناخته شده هستند؟
A: A: ما لیزرها را با طول موج های مختلف و توان خروجی متناسب با نیازهای پردازش شما پیکربندی می کنیم. تجهیزات ما به صورت استاندارد مجهز به منابع لیزر{1}}خود توسعهیافته هستند. به طور متناوب، لیزرهای مارک مشخص شده را می توان بنا به درخواست مشتری نصب کرد.
س: آیا تولید انبوه 24 ساعته بدون مراقبت در دسترس است؟
A: A: دستگاه ما کنترل CNC کامل-حلقه بسته را دارد. بارگیری/تخلیه خودکار اختیاری و میز کار دوگانه امکان تولید خودکار 24 ساعته بدون مراقبت را فراهم می کند. با این حال، فواصل استراحت کوتاه دوره ای پس از عملیات طولانی مدت به افزایش عمر مفید تجهیزات کمک می کند.
تگ های محبوب: دستگاه سیک پاور دستگاه تاس لیزری ویفر، تولید کنندگان دستگاه لیزر ویفر دستگاه سیک پاور چین، تامین کنندگان، کارخانه